三星电子的研究团队实现了全球首个基于磁阻存储器（MRAM）的内存计算，可以同时存储和运行，并将研究成果发表在世界级学术期刊《自然》上。

据三星电子称，这项研究是由三星高级技术研究所研究员郑承哲作为第一作者和哈佛大学高级技术研究所研究员Ham Don-hee和Kim共同完成的。高级工学院硕士生桑军为共同通讯作者。三星电子高级技术研究所、半导体研究中心和代工部门的研究人员也共同参与了这项研究。

传统的计算机分为存储数据的内存芯片和负责数据操作的处理器芯片。另一方面，内存计算是一种最先进的芯片技术，可以存储和执行数据存储和操作。这可以显着降低功耗，并且作为一种用于内存计算下一代低功耗人工智能（AI）芯片的技术引起了人们的关注。

内存计算的研究不仅限于三星电子。迄今为止，大部分研究都是针对电阻式存储器（RRAM）和相变存储器（PRAM）进行的，它们是即使断电也不会丢失数据的非易失性存储器。三星电子此次使用的磁阻存储器具有数据稳定性高、速度快的优势，但由于功耗大而被排除在很多研究之外。

然而，三星电子研究团队通过创造一种新的“电阻求和”方法来克服这种磁阻存储器的局限性，从而在低功耗设计方面取得了成功。结果，内存计算成功地降低了功耗，同时实现了磁阻存储器的数据稳定性和高速性等优点。三星电子解释说，

这项研究的意义在于，它通过实施世界上第一个内存计算来生产磁阻存储器，通过将其与系统相结合，可以大规模生产，从而扩展了下一代低功耗AI芯片技术的视野。半导体工艺。

三星电子的研究人员认为，磁阻存储芯片的新结构可以应用于神经形态平台，该平台可以下载内存计算之外的生物神经网络。

三星电子高级技术研究所研究员 Jeong Seung-cheol 表示：“内存计算是一种结合了内存和计算的技术，与人脑有一些相似之处，即内存和计算混合在一起。我们期待它有助于Lomorphic技术的研发。”